“哈哈，说的也是，真期待那些人在知道我们公司即将发布的芯片性能后的表情啊，要是被他们知道我们这次要发布的芯片，其性能都已经是删减版的就已经超出他们公司实验室里最先进的产品，那他们估计是要疯了！”夸父乐呵呵的说道。

“是啊，阉割版的性能就足够吊打他们了，要是将真正性能完的产品问世，那他们肯定是要疯了的！

不过我们也不可能一下子就将芯片的性能提升到现在的30倍左右，就我们准备发布的5倍于现在市场上性能最顶级的芯片就足够震撼他们了。

我们公司也就是沾了新材料的光，我们自己就是生产制造石墨烯的，对它的性能有足够多的了解，这才能在这么短的时间里获得突破。

也不能对那些公司掉以轻心的，现在大家都在研发基于石墨烯材质的芯片，要是他们获得了突破，我们这些优势搞不好会立刻就被追上的！”雷天唐笑着说道。

说是这么说，不过真说什么担心，那是一点都没有的，就看自家公司的高品质石墨烯都对外出售一年多，那些国家和公司的实验室都还没有真正取得技术突破这一点，就可以看的出研发石墨烯芯片的难度！

“老板你又不是不知道技术突破的难度！反正我们就算是发布7纳米制程的初级产品性能就足够好了！

要是到时候那些国家和公司取得了技术突破，那我们将5纳米制程的最先进产品给放出来就是了！

反正7纳米的制程是硅材料芯片的物理极限，又不是我们采用的石墨烯材料的极限，我们的光刻机等设备虽然技术都是来自他们，但是摸透了他们的技术后，我们自己优化升级的产品性能已经突破了他们的技术！

具体是生产7纳米的芯片还是生产5纳米的芯片，对我们的设备而言几乎没有什么区别！”夸父毫不在意的说道。

适用了20余年的摩尔定律近年逐渐有了失灵的迹象。从芯片的制造来看，7n就是硅材料芯片的物理极限，夸父说的7纳米极限就是说的这个。

现在的u内集成了以亿为单位的晶体管，这种晶体管由源极、漏极和位于他们之间的栅极所组成，电流从源极流入漏极，栅极则起到控制电流通断的作用。

所谓的xx 纳米其实指的是，u上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度，也被称为栅长。

栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管，在芯片晶体管集成度相当的情况下，使用更先进的制造工艺，芯片的面积和功耗就越小，成本也越低。

缩短晶体管栅极的长度可以使u集成更多的晶体管或者有效减少晶体管的面积和功耗，并削减u的硅片成本。

正是因此，u生产厂商不遗余力地减小晶体管栅极宽度，以提高在单位面积上所集成的晶体管数量。

不过这种做法也会使电子移动的距离缩短，容易导致晶体管内部电子自发通过晶体管通道的硅底板进行的从负极流向正极的运动，也就是漏电。

而且随着芯片中晶体管数量增加，原本仅数个原子层厚的二氧化硅绝缘层会变得更薄进而导致泄漏更多电子，随后泄漏的电流又增加了芯片额外的功耗。

为了解决漏电问题，各家公司可谓八仙过海，各显神通，比如在制造工艺中融合了高介电薄膜和金属门集成电路以解决漏电问题；

还有鳍式场效电晶体技术ffet——借由增加绝缘层的表面积来增加电容值，降低漏电流以达到防止发生电子跃迁的目的

上述做法在栅长大于7纳米的时候一定程度上能有效解决漏电问题。不过，在采用现有芯片材料的基础上，晶体管栅长一旦低于7纳米，晶体管中的电子就很容易产生隧穿效应，为芯片的制造带来巨大的